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單晶硅專利技術(shù)集
本套專利資料售價:200元  訂購電話:19922632048  19902156486  編號:863
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收錄單晶硅專利技術(shù)75項
1、邊緣限定硅膜生長工藝的晶體生長設(shè)備與方法
2、標(biāo)定單晶硅晶圓晶向的方法
3、處理薄晶體硅片和晶體硅太陽能電池的方法
4、從超高純石英材料冶煉并直接鑄錠的設(shè)備及至切片制取太陽能級硅片的工藝
5、從低缺陷密度的單晶硅上制備硅-絕緣體結(jié)構(gòu)
6、粗蝕刻硅太陽能電池的工藝
7、單晶硅襯底雙面拋光片
8、單晶硅的制造方法及單晶硅以及硅晶片
9、單晶硅的制造設(shè)備
10、單晶硅錠及其制造方法
11、單晶硅晶片及單晶硅的制造方法
12、單晶硅晶片及外延片以及單晶硅的制造方法
13、單晶硅膜的制造方法
14、單晶硅片各向異性腐蝕夾具
15、單晶硅片抗機(jī)械力的提高
16、單晶硅生產(chǎn)設(shè)備
17、單晶硅生產(chǎn)裝置
18、單晶硅太陽能電池的表面結(jié)構(gòu)及其制作方法
19、單晶硅直徑測定法及其設(shè)備
20、單晶硅直徑控制法及其設(shè)備
21、低濃度鈣雜質(zhì)的石墨支撐容器及其在制造單晶硅中的應(yīng)用
22、非線性磁場單晶硅拉制方法及其裝置
23、分離單晶硅堝底料中石英的工藝
24、高純度硅的制造方法
25、高純度冶金硅及其制備方法
26、硅板及其生產(chǎn)方法和太陽能電池
27、硅薄膜的形成方法及硅薄膜太陽能電池
28、硅薄膜太陽電池集成組件及其制備技術(shù)
29、硅薄膜太陽電池用P型窗口層及其制備方法
30、硅薄膜太陽能電池的制造方法
31、硅光接收器件
32、硅結(jié)構(gòu)體及其制造方法和裝置及使用硅結(jié)構(gòu)體的太陽電池
33、硅片和生產(chǎn)單晶硅的方法
34、硅片太陽電池制作方法
35、硅太陽電池的制作方法及使用該方法制作的硅太陽電池
36、硅烷組合物、硅膜的形成方法和太陽能電池的制造方法
37、晶體硅太陽電池組件
38、具有非均勻少數(shù)載流子壽命分布的單晶硅及其形成工藝
39、具有改進(jìn)的內(nèi)部收氣的熱退火單晶硅片及其熱處理工藝
40、具有結(jié)構(gòu)氧摻雜的硅及其生產(chǎn)方法和用途
41、絕緣體上單晶硅(SOI)材料的制造方法
42、寬譜域低溫疊層硅基薄膜太陽電池
43、利用坩鍋旋轉(zhuǎn)以控制溫度梯度的制備單晶硅的方法
44、平板單晶硅表面的改性方法
45、熱退火后的低缺陷密度單晶硅
46、生產(chǎn)太陽能電池用高純度硅的方法
47、生長富空位單晶硅的熱屏蔽組件和方法
48、雙層玻璃結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽電池組件
49、雙面光照單晶硅太陽電池
50、太陽能電池及硅器件化學(xué)鍍鎳方法
51、太陽能電池用硅的制造方法
52、太陽能級硅單晶生產(chǎn)工藝方法
53、陶瓷襯底多晶硅薄膜太陽能電池
54、提拉單晶硅的裝置
55、通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品
56、透明導(dǎo)電膜前電極晶體硅太陽能電池
57、無定形硅的制備方法
58、一種硅雙面太陽電池
59、一種硅太陽電池
60、一種硅太陽電池的結(jié)構(gòu)與制作方法
61、一種顆粒硅帶的制備方法及其專用設(shè)備
62、一種生產(chǎn)硅太陽電池的方法及相關(guān)的設(shè)備
63、一種用于太陽能電池硅材料表面織構(gòu)化的腐蝕劑
64、一種用于直拉法生長單晶硅的硅籽晶夾持器
65、一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器
66、抑制長的大直徑單晶硅生長條紋的直拉生長的方法及裝置
67、用于單晶硅生長的非Dash縮頸法
68、用于控制空位為主的單晶硅熱過程的方法
69、用于制備低鐵污染單晶硅的裝置和方法
70、用于制備具有改善的柵氧化層完整性的單晶硅的方法
71、直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法
72、直拉生長單晶硅期間實(shí)時監(jiān)測和控制氧的一氧化硅探針
73、制備單晶硅片表面完整層的新途徑
74、制備具有均勻熱過程的單晶硅的方法
75、制造單晶硅的裝置

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