收錄多晶硅專利技術(shù)137項
1、15-50納米線寬多晶硅柵的刻蝕方法
2、70納米多晶硅柵刻蝕-氟化+反應離子刻蝕方法
3、N型摻雜多晶硅的制造方法
4、半導體電路制造的多層多晶硅瓦片結(jié)構(gòu)
5、半導體器件及制作一低溫多晶硅層的方法
6、半導體元件和在其中形成多晶硅層的制造方法
7、避免溝槽底部毛邊生成的多晶硅刻蝕工藝
8、避免于內(nèi)存組件形成多晶硅縱梁的方法
9、玻璃襯底的預多晶硅被覆
10、薄膜晶體管的多晶硅層及其顯示器
11、薄膜晶體管的多晶硅制造方法
12、彩色多晶硅微粒及其制備方法
13、超小粒徑多晶硅的結(jié)構(gòu)和方法
14、低溫多晶硅薄膜的制造方法
15、低溫多晶硅薄膜的制造方法 2
16、低溫多晶硅薄膜的制造方法及低溫多晶硅薄膜晶體管
17、低溫多晶硅薄膜電晶體的結(jié)構(gòu)
18、低溫下用順序橫向固化制造單晶或多晶硅薄膜的系統(tǒng)和方法
19、多晶硅、其生產(chǎn)方法及生產(chǎn)裝置
20、多晶硅棒及其加工方法
21、多晶硅棒及其制造方法
22、多晶硅表面金屬雜質(zhì)的清除
23、多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其檢測方法
24、多晶硅薄膜的制造方法
25、多晶硅薄膜的制造方法 2
26、多晶硅薄膜的制造方法 3
27、多晶硅薄膜的制造方法和用多晶硅薄膜制造的顯示器件
28、多晶硅薄膜結(jié)晶品質(zhì)的檢測裝置及其檢測與控制方法
29、多晶硅薄膜晶體管陣列板及其制造方法
30、多晶硅薄膜制造方法以及使用該多晶硅薄膜的設(shè)備
31、多晶硅層的處理方法
32、多晶硅層的結(jié)晶方法
33、多晶硅層的制作方法
34、多晶硅層的制作方法 2
35、多晶硅層結(jié)構(gòu)與其形成方法以及平面顯示器
36、多晶硅襯底和太陽能電池的制備方法
37、多晶硅的定向生長方法
38、多晶硅的腐蝕方法和腐蝕裝置
39、多晶硅的評價方法
40、多晶硅的生產(chǎn)裝置
41、多晶硅的蝕刻方法
42、多晶硅的制造方法和裝置
43、多晶硅的制作方法和使用多晶硅的開關(guān)器件
44、多晶硅電阻及其制造方法
45、多晶硅電阻器及其制造方法
46、多晶硅化金屬柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法
47、多晶硅化鎢柵極的制造方法
48、多晶硅化學氣相沉積方法和裝置
49、多晶硅間介電層的制造方法
50、多晶硅結(jié)晶方法、薄膜晶體管及其液晶顯示器的制造方法
51、多晶硅膜表面處理溶液和采用該溶液的多晶硅膜表面處理方法
52、多晶硅膜的制造方法
53、多晶硅氫還原爐
54、多晶硅氫還原爐 2
55、多晶硅氫還原爐的可變截面積進氣口裝置
56、多晶硅融化摻氮直拉生長微氮硅單晶的方法
57、多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的測試方法
58、多晶硅細脈熔絲
59、多晶硅柵極蝕刻后的無機抗反射涂層的干式各向同性移除
60、多晶硅自行對準接觸插塞與多晶硅共享源極線及制作方法
61、改進的多晶硅-硅化物
62、改善蝕刻多晶硅的均勻性和減少其蝕刻速率變化的方法
63、改善柵極多晶硅層電阻值的方法
64、高質(zhì)量單晶制造中堆積和熔化多晶硅的方法
65、光罩與應用其形成多晶硅層的方法
66、化學機械拋光用于接合多晶硅插拴制造方法及其結(jié)構(gòu)
67、基于電感耦合等離子體刻蝕多晶硅及制備超細線條的方法
68、基于二氯甲硅烷的化學汽相淀積多晶硅化物膜中異常生長的控制
69、減小微溝道效應的多晶硅刻蝕工藝
70、將非晶硅轉(zhuǎn)換為多晶硅的方法
71、降低多晶硅層洞缺陷的方法
72、具有摻雜多晶硅層構(gòu)成的互連的半導體器件的制造方法
73、具有高介電常數(shù)的多晶硅柵間介電層的結(jié)構(gòu)及其形成方法
74、具有高性能集成電路多晶硅凝集熔消組件的互補金屬氧化物半導體的工藝
75、絕緣層上多晶硅的激光加熱再結(jié)晶方法
76、可靠的具有減小的薄膜電阻的多晶硅-硅化物柵極疊層
77、利用多晶硅半球的晶粒回蝕刻來形成電容器的方法
78、利用多晶硅的薄膜晶體管制造方法
79、利用放熱反應制備多晶硅的方法
80、利用雙鑲嵌工藝來形成T型多晶硅柵極的方法
81、利用微晶硅膜作為浮置閘以促進快閃式存儲器性能的方法
82、利用準分子激光退火工藝制作多晶硅薄膜的方法
83、利用準分子激光再結(jié)晶工藝來制作多晶硅薄膜的方法
84、評定多晶硅的方法和系統(tǒng)及制造薄膜晶體管的方法和系統(tǒng)
85、去除多晶硅殘留的方法
86、蝕刻多晶硅層以形成多晶硅閘極的方法
87、使用氮化工藝的多晶硅化金屬柵極制程
88、提高深亞微米多晶硅柵刻蝕均勻性的方法
89、為快速電可擦除可編程只讀存儲器單元形成相對于有源區(qū)自對準的浮動柵多晶硅層的方法
90、無粉塵且無微孔的高純度粒狀多晶硅
91、形成T型多晶硅柵極的方法
92、形成多晶硅層的方法
93、形成多晶硅層的方法以及制造多晶硅薄膜晶體管的方法
94、形成多晶硅層以及制作多晶硅薄膜晶體的方法
95、形成多晶硅結(jié)構(gòu)
96、形成多晶硅鍺層的方法
97、形成具高電阻值的多晶硅薄膜的方法
98、形成具有粗糙表面的多晶硅的方法
99、形成具有多晶硅-硅化鈦結(jié)構(gòu)的柵極的方法
100、形成微晶硅膜的方法、光電元件及其制造方法
101、形成微晶硅系列薄膜的工藝和適于實施所述工藝的裝置
102、一種定向凝固生長太陽能電池用的多晶硅錠工藝
103、一種多晶硅自對準雙極器件及其制造工藝
104、一種納米線寬多晶硅柵刻蝕掩膜圖形的形成方法
105、一種四氯化硅、多晶硅和石英玻璃的聯(lián)合制備法
106、一種抑制多晶硅針孔的多晶硅層緩沖局部場氧化硅結(jié)構(gòu)工藝方法
107、一種用于表面工藝多晶硅結(jié)構(gòu)釋放的方法
108、一種在陶瓷襯底上沉積大晶粒多晶硅薄膜的方法
109、一種制備多晶硅的方法
110、一種制備多晶硅絨面的方法
111、以連續(xù)式側(cè)向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩圖案
112、應用于高效能薄膜晶體管的多晶硅退火結(jié)構(gòu)及其方法
113、用多晶硅爐料制備硅熔體的方法
114、用多晶硅掩模和化學機械拋光制造不同柵介質(zhì)厚度的工藝
115、用多晶硅原料制備熔硅的方法
116、用干法刻蝕多晶硅的局部氧化硅法
117、用三氯氫硅和四氯化硅混合源生產(chǎn)多晶硅的方法
118、用于動態(tài)閾值電壓控制的多晶硅背柵SOI MOSFET
119、用于評估多晶硅薄膜的裝置
120、用于增加多晶硅熔化速率的間歇式加料技術(shù)
121、由多晶硅爐料制備熔硅熔料的方法
122、由多晶硅裝料制備熔化的硅熔體的方法和裝置
123、于基板上形成多晶硅層的方法
124、在半導體制作過程中通過氘以形成多晶硅層的方法
125、在半導體裝置中形成多晶硅層的方法
126、在多晶硅層表面上的高熔點金屬硅化物層的制造方法
127、制備多晶硅的方法
128、制備多晶硅顆粒的方法和裝置
129、制備微晶硅的方法
130、制造低溫多晶硅晶體管的多晶硅的組合設(shè)備工具
131、制造多晶硅層的方法
132、制造多晶硅層的方法及其光罩
133、制造內(nèi)層多晶硅介電層的方法
134、制造雙層多晶硅存儲器元件的方法
135、制造雙層多晶硅可改寫非揮發(fā)性存儲器的方法
136、制作低溫多晶硅薄膜的方法
137、制作多晶硅薄膜的方法 | 
