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 晶圓硅片環保退鍍液配方生產技術
一、技術概述
在芯片晶圓硅片加工過程中，需要在晶圓表面鍍上一層膜，即交替堆疊多層薄金屬(導電)膜和介電(絕緣)膜，實現導電和保護的功能，這層膜非常薄，在鍍膜工序中一旦出現不良鍍膜時，需要對其進行退鍍返工。
晶圓硅片退鍍液是一種用于晶圓硅片鍍膜不良返工退鍍的環保產品；產品由有機酸、促進劑、剝離劑等組成，不含氫氟酸、鹽酸、硫酸、硝酸等傳統無機強酸，無刺激性氣味，對人體較為安全；使用時無酸霧污染、無磷、無重金屬污染；產品溫和不傷手，無色輕微氣味，無酸霧揮發，適合各種氧化膜金屬膜退膜，還原鍍膜前素材狀態；產品常溫處理不需加熱，不傷基材，不傷硅片高拋光鏡面；退膜速度快，速度接近無機強酸退膜速度，材料易得，成本低，使用壽命長。
本環保型晶圓硅片退鍍液包含有機酸、絡合劑、緩蝕劑以及加速劑，對多種鍍層均具有良好的腐蝕脫除效果，同時不損傷基材，便于鍍層返工；使用條件為加熱50-60℃浸泡或常溫浸泡，反應條件溫和安全、可反復使用且化學性質穩定。
二、技術參數
化學成分：氟鹽、環保有機酸、銨鹽、堿金屬酸式鹽、緩蝕劑、水等；
外觀氣味：無色透明液體，輕微氣味；
密度：1.00-1.05kg/L；
pH值：2.0-2.5。
三、性能優勢
本環保型晶圓硅片退鍍液以氟鹽作為氧化劑，配合有機酸、絡合劑、緩蝕劑以及加速劑，促進對陽極氧化膜的腐蝕作用，對多種鍍層均具有良好的腐蝕脫除效果，速度快，同時使用硫脲作為緩蝕劑，保護基材不受酸性溶液腐蝕，不損傷基材，便于鍍層返工；硫脲，一方面能在金屬溶液界面上的活性區域發生吸附，使原來在界面活性區域發生的電化學反應受到阻滯，從而降低腐蝕的速度，能夠有效保護底材不受酸性溶液腐蝕；另一方面兼具對金屬鍍層成分的金屬離子(尤其銅離子)有強烈絡合作用，在一定程度上加快對不良金屬鍍層的溶解。硫脲在本體系中創造性表現出雙重作用—保護底材不受酸性溶液腐蝕、加快對不良金屬鍍層的溶解；
本退鍍液通過氟鹽、無毒金屬鹽及環保有機酸的協同作用，能達到使用鹽酸、硝酸和氫氟酸等傳統無機強酸快速去除不良鍍層的良好效果，對傳統鹽酸、硝酸和氫氟酸等不環保無機強酸進行了很好的替代，避免了操作過程中會產生酸霧、危害人體健康及污染環境的弊端，具有無刺激性氣味、對人體較為安全、使用時無酸霧污染、無磷、無重金屬污染、安全環保等諸多優點。
四、使用方法
1.可將環保型晶圓硅片退鍍液加熱至50-60℃后，再將需要退鍍返工的產品浸沒其中，也直接可在常溫下進行。將環保型晶圓硅片退鍍液加熱至50-60℃再進行浸泡可加快退鍍速度，常溫浸泡不加熱也可以達到退鍍效果，但退鍍時間會延長。常溫原液使用，處理時間通常5分鐘-1小時不等，不同材質鍍膜，退膜時間不同；2.加熱使用，或增加空氣攪拌，退膜速度更快；3.當退膜速度變慢時，可補充原液或更換槽液。
五、技術服務：晶圓硅片環保退鍍液技術資料費：280元，包括生產配方、工藝流程、性能指標、使用方法等，提供技術支持。
上一技術：壓鑄鋁除霉斑清洗劑下一技術：工業重油污清洗劑
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