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 半導體光刻膠去膠液（光刻膠剝離液）配方生產技術
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種不導電的光敏材料，它通過受到光照后特性會發生改變的原理將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。顯影過后未固化的光刻膠需要用去膠液洗掉，暴露出底材再進行相應的蝕刻。目前市場上大部分去膠液存在去膠速度慢、有膠殘留、長時間工作后腐蝕金屬或傷鈍化層的問題。
在集成電路制造工藝中，制造半導體器件一般會多次經歷光刻工藝，該過程會用到一種不導電的光敏材料——光刻膠，也稱為光致抗蝕劑。一般是將光刻膠涂抹在基材上，經過烘烤，曝光，顯影后在半導體襯底的傳導層上形成光刻圖形，接著進行刻蝕工藝，刻蝕掉傳導層上光刻膠圖形沒有掩蓋的部分，將圖形轉移到晶圓表面上，在傳導層圖形形成后，光刻膠圖形必須用光刻膠剝離劑從傳導層去除。
半導體光刻膠去膠液（光刻膠剝離液）是涉及半導體加工技術領域，一款用于去膠效果好且對底材的攻擊較小的正性光刻膠去膠液，去膠速度快、去膠能力強，去膠液體系穩定性提高，使用壽命長，表面張力低，對微小縫隙處的光刻膠去除效果好，體系中采用大量極性非質子有機溶劑，水溶性比較好，去膠過后容易清洗；體系中還原劑和阻蝕劑能有效抑制光刻膠去膠液對底材的腐蝕作用，在有效清除膠的同時抑制對半導體基板對金屬、硅、氧化硅、鈍化層等各種底材的腐蝕，延長了工作時間。
光刻膠去膠液配方成分：有機溶劑、有機醇胺、有機醇、金屬保護劑和阻蝕劑等。
工作溫度：40-50℃；處理時間：10-30分鐘；處理方式：浸泡或噴淋
本光刻膠去膠液去膠速度快、去膠能力強，在較低溫度都能保持去膠性能，而且降低了對金屬、硅、氧化硅、鈍化等各種底材的腐蝕，延長了工作時間，水溶性好，容易清洗。
技術服務：半導體光刻膠去膠液（光刻膠剝離液）技術資料費：280元，包括生產配方、工藝流程、性能測試等，提供技術支持。
上一技術：無渣磷化液下一技術：鍋爐水除氧劑
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