1、CN00109107.7 一種高溫碳化硅半導(dǎo)體材料制造裝置
2、CN00133595.2 半導(dǎo)體材料外延的廢氣中所含砷微粒的回收設(shè)備
3、CN00249702.6 碲鋅鎘半導(dǎo)體材料的歐姆電極
4、CN00258011.X 變溫的高阻半導(dǎo)體材料光電測試裝置
5、CN01141282.8 晶體半導(dǎo)體材料的制造方法以及制造半導(dǎo)體器件的方法
6、CN01143233.0 一種晶體半導(dǎo)體材料系列A sub 2 sub MM' sub 3 sub Q sub 6 sub
7、CN01238855.6 基于納米半導(dǎo)體材料的電致變色防偽標識
8、CN01802185.9 半導(dǎo)體材料的激光切割
9、CN01809275.6 在基體或塊體特別是由半導(dǎo)體材料制成的基體或塊體中切制出至少一個薄層的方法
10、CN01809456.2 具有可控制導(dǎo)電性的半導(dǎo)體材料及器件的制造
11、CN01820693.X 半導(dǎo)體材料的激光加工
12、CN01821842.3 用于生長單晶半導(dǎo)體材料的拉晶機和方法
13、CN02113082.5 離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導(dǎo)體材料的方法
14、CN02113088.4 離子注入法制備AlN基稀釋磁性半導(dǎo)體材料的方法
15、CN02121115.9 合成多種金屬硒化物及碲化物半導(dǎo)體材料的方法
16、CN02138423.1 納米磷化物半導(dǎo)體材料的水熱合成制備方法
17、CN02234524.8 半導(dǎo)體材料電信號測試裝置
18、CN02813163.0 半導(dǎo)體材料的膜或?qū)�、及制造該膜或�(qū)拥姆椒?br />19、CN02818197.2 利用X射線檢查半導(dǎo)體材料的晶片的方法
20、CN02818923.X 有機半導(dǎo)體材料及使用該材料的有機半導(dǎo)體元件
21、CN02819377.6 用于半導(dǎo)體材料處理系統(tǒng)的一體化機架
22、CN02820488.3 半導(dǎo)體材料處理系統(tǒng)
23、CN02825898.3 超摻雜半導(dǎo)體材料的方法以及超摻雜的半導(dǎo)體材料和器件
24、CN02827556.X 使用一維半導(dǎo)體材料作為化學敏感材料及其在接近室溫下生產(chǎn)和操作
25、CN03121822.9 一種具有AlAs氧化層的半導(dǎo)體材料
26、CN03121825.3 一種制備在GaAs基底上生長含Al外延層半導(dǎo)體材料的方法
27、CN03125563.9 制造晶體半導(dǎo)體材料的方法和制作半導(dǎo)體器件的方法
28、CN03129508.8 提高InAs GaAs量子點半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的方法
29、CN03139039.0 亞納米復(fù)合法制備氧化鋅基磁性半導(dǎo)體材料的方法
30、CN03800995.1 摻雜的有機半導(dǎo)體材料以及其制備方法
31、CN03804278.9 一種用于制造由單晶半導(dǎo)體材料制成的無支撐襯底的方法
32、CN03811788.6 有機半導(dǎo)體材料、有機半導(dǎo)體構(gòu)造物和有機半導(dǎo)體器件
33、CN03816211.3 轉(zhuǎn)移應(yīng)變半導(dǎo)體材料層的方法
34、CN03819794.4 減少半導(dǎo)體材料中的缺陷
35、CN03823519.6 用于半導(dǎo)體材料晶片的快速退火處理工藝
36、CN85103535 在材料(例如半導(dǎo)體材料)中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件
37、CN85108824 改進的硼摻雜半導(dǎo)體材料及其制備方法
38、CN86101518 一種用介質(zhì)波導(dǎo)測量半導(dǎo)體材料少子壽命的裝置
39、CN89101544.2 對半導(dǎo)體材料進行熱處理的工藝和設(shè)備
40、CN93101447.6 半導(dǎo)體材料的層間整平裝置
41、CN94105732.1 粉碎半導(dǎo)體材料的方法和裝置
42、CN94194956.7 多孔半導(dǎo)體材料
43、CN95104759.0 用含酸流體處理半導(dǎo)體材料的方法
44、CN95108567.0 制造具有設(shè)置在支撐薄片上的半導(dǎo)體材料層中形成的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的方法
45、CN95190624.0 帶有有機半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件
46、CN96104150.1 光激發(fā)半導(dǎo)體材料響應(yīng)分析的方法和裝置
47、CN96123375.3 半導(dǎo)體材料的制造方法及所用設(shè)備
48、CN97112634.8 鎘鐵復(fù)合氧化物氣敏半導(dǎo)體材料及其氣敏元件
49、CN97114518.0 半導(dǎo)體材料的清洗裝置
50、CN97116108.9 半導(dǎo)體材料集成微結(jié)構(gòu)及其制造方法
51、CN97198779.3 熱電半導(dǎo)體材料,及其制造方法和用該材料的熱電微型組件及熱鍛造方法
52、CN98102651.6 減小半導(dǎo)體材料尺寸的裝置和方法
53、CN98809536.X 制造半導(dǎo)體材料薄片的裝置和方法
54、CN99121657.1 熱電半導(dǎo)體材料或元器件及其制造方法與裝置
55、CN99803138.0 積淀半導(dǎo)體材料的裝置和方法
56、CN99816847.5 光致發(fā)光的半導(dǎo)體材料
57、CN200310117195.X 具有電流控制電阻效應(yīng)的摻雜半導(dǎo)體 絕緣體 半導(dǎo)體材料
58、CN200310121490.2 一種半導(dǎo)體材料橫向周期攙雜的方法及其裝置
59、CN200310122689.7 形成半導(dǎo)體材料晶片的方法及其結(jié)構(gòu)
60、CN200310122883.5 一種用于半導(dǎo)體材料特性表征的方法及其系統(tǒng)
61、CN200320129499.3 一種化合物半導(dǎo)體材料多晶合成的裝置
62、CN200380100952.0 處理半導(dǎo)體材料的方法
63、CN200380103483.8 半導(dǎo)體材料納米線的分散系
64、CN200380108706.X 改進有機半導(dǎo)體材料及與其有關(guān)的改進
65、CN200410013394.0 納米晶熱電半導(dǎo)體材料的非晶晶化制備方法
66、CN200410016462.9 基于半導(dǎo)體材料的納米線制作方法
67、CN200410017195.7 完整的間接帶隙半導(dǎo)體材料參數(shù)擬合方法
68、CN200410024905.9 并五苯衍生物作為半導(dǎo)體材料的有機場效應(yīng)晶體管及其制備方法
69、CN200410044325.6 一系列半導(dǎo)體材料
70、CN200410056519.8 摻雜的有機半導(dǎo)體材料以及它們的制造方法
71、CN200410072301.1 半導(dǎo)體材料的線切割液
72、CN200410077160.2 改善有缺陷的半導(dǎo)體材料質(zhì)量的方法
73、CN200410092231.6 包括以多孔半導(dǎo)體材料矩陣為形式的燃燒室的發(fā)電裝置
74、CN200410099025.8 一種半導(dǎo)體材料生長系統(tǒng)的滑動機構(gòu)CN200410103374.2 采用突變金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變半導(dǎo)體材料的二端子半導(dǎo)體器件
75、CN200480007799.1 用于減少半導(dǎo)體材料中雜質(zhì)的裝置和方法
76、CN200480019353.0 熱電半導(dǎo)體材料、由該熱電半導(dǎo)體材料制作的熱電半導(dǎo)體元件、使用該熱電半導(dǎo)體元件的熱電模塊及它們的制造方法
77、CN200480023063.3 由雙面施予晶片生成半導(dǎo)體材料薄層的方法
78、CN200480028008.3 用于制作由半導(dǎo)體材料制成的多層結(jié)構(gòu)的方法
79、CN200480033367.8 具有顆粒半導(dǎo)體材料的應(yīng)力半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)
80、CN200480040756.3 半導(dǎo)體材料加工設(shè)備中的氧化釔涂覆的陶瓷部件及該部件的制造方法
81、CN200480041518.4 由選自半導(dǎo)體材料的材料層形成的多層晶片的表面處理
82、CN200510011465.8 復(fù)合金屬氧化物半導(dǎo)體材料及其制備方法
83、CN200510016509.6 一種指導(dǎo)等離子體輔助制備半導(dǎo)體材料的光譜探測方法
84、CN200510018806.4 一種測量半導(dǎo)體材料塞貝克系數(shù)和電阻率的裝置
85、CN200510023879.2 用于化合物半導(dǎo)體材料生長的噴頭及原料輸入方法
86、CN200510024436.5 表面嫁接有機共軛分子的半導(dǎo)體材料及其制備方法
87、CN200510043168.1 GaN半導(dǎo)體材料的異質(zhì)外延方法
88、CN200510055896.4 半導(dǎo)體材料殘余應(yīng)力的測試裝置及方法
89、CN200510069117.6 半導(dǎo)體材料和形成半導(dǎo)體材料的方法
90、CN200510079768.3 采用小分子有機半導(dǎo)體材料的液晶顯示器件及其制造方法
91、CN200510089382.0 有機基體材料在生產(chǎn)有機半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用，有機半導(dǎo)體材料以及電子元件
92、CN200510093901.0 基于多觸媒催化納米半導(dǎo)體材料及復(fù)合除塵的室內(nèi)空氣凈化方法及裝置
93、CN200510094827.4 半導(dǎo)體材料的高溫霍爾測量方法及裝置
94、CN200510095658.6 一種提高氮化鎵(GaN)基半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的方法
95、CN200510119064.4 稠環(huán)單元封端的齊聚噻吩類高遷移率有機半導(dǎo)體材料及用途
96、CN200510119536.6 新型半導(dǎo)體材料
97、CN200510137547.7 N型有機半導(dǎo)體材料
98、CN200520022288.9 檢測半導(dǎo)體材料內(nèi)部缺陷的紅外裝置
99、CN200520023083.2 一種用于氮化物半導(dǎo)體材料退火的新型加熱襯托
100、CN200580003728.9 金屬絡(luò)合物作為 n -摻雜物用于有機半導(dǎo)體基質(zhì)材料中的用途 ,有機半導(dǎo)體材料和電子元件以及摻雜物和配位體 ,及其生產(chǎn)方法
101、CN200580004088.3 半導(dǎo)體材料以及采用該半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體元件
102、CN200580006960.8 淀積半導(dǎo)體材料的方法
103、CN200580007121.8 淀積高質(zhì)量微晶半導(dǎo)體材料的方法
104、CN200580021861.7 用于施加到Ⅲ Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料上的具有多個層的反射層系統(tǒng)
105、CN200580022204.4 制備高質(zhì)量化合物半導(dǎo)體材料的沉積技術(shù)
106、CN200580036891.5 包含光電活性半導(dǎo)體材料的光電池
107、CN200580038437.3 在襯底上生長Si-Ge半導(dǎo)體材料和器件的方法
108、CN200580042306.2 用于半導(dǎo)體材料作為磷光發(fā)射體的主體基質(zhì)的9,9'-和2,2'-取代的3,3'-聯(lián)咔唑衍生物
109、CN200580043297.9 用于薄膜晶體管的N型半導(dǎo)體材料
110、CN200580044132.3 用于薄膜晶體管的N型半導(dǎo)體材料
111、CN200410103374.2 采用突變金屬-絕緣體轉(zhuǎn)變半導(dǎo)體材料的二端子半導(dǎo)體器件
112、CN200610001301.1 制備GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的方法
113、CN200610014413.0 一種用于半導(dǎo)體材料滾圓加工的滾磨液
114、CN200610014600.9 一種去除半導(dǎo)體材料表面蠟和有機物的清洗液及其清洗方法
115、CN200610016841.7 采用納米級半導(dǎo)體材料為基底進行SERS檢測的方法
116、CN200610018021.1 半導(dǎo)體材料線切割專用刃料
117、CN200610019184.1 鈦鈷銻基熱電半導(dǎo)體材料的制備方法
118、CN200610026935.2 Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料保護側(cè)邊緣的表面拋光方法
119、CN200610043855.8 非晶態(tài)Zn-Fe-O鐵磁性半導(dǎo)體材料及其制備方法
120、CN200610084830.2 感光可溶性有機半導(dǎo)體材料
121、CN200610089343.5 一種有機半導(dǎo)體材料的場效應(yīng)晶體管及制備方法
122、CN200610091505.9 有機半導(dǎo)體材料,有機半導(dǎo)體薄膜和有機半導(dǎo)體器件
123、CN200610098234.X 新型半導(dǎo)體材料銦鎵氮表面勢壘型太陽電池及其制備方法
124、CN200610105112.9 一種大面積自支撐寬禁帶半導(dǎo)體材料的制作方法
125、CN200610121457.3 用于支撐生長中的半導(dǎo)體材料單晶的支撐裝置以及制造單晶的方法
126、CN200610121831.X 有機半導(dǎo)體材料和有機半導(dǎo)體元件以及場效應(yīng)晶體管
127、CN200610136555.4 半導(dǎo)體材料、其制造方法以及半導(dǎo)體器件
128、CN200610151403.1 包括由半導(dǎo)體材料制造的表盤的計時器和用于該計時器的表盤
129、CN200610166972.3 集成電路和調(diào)節(jié)含有該集成電路的半導(dǎo)體材料溫度的方法
130、CN200610169488.6 使用有機半導(dǎo)體材料的液晶顯示器陣列基板及其制造方法
131、CN200610171452.1 用于調(diào)整由半導(dǎo)體材料制成的基材表面或內(nèi)部應(yīng)變的方法
132、CN200620030500.0 半導(dǎo)體材料線切割專用刃料濕式循環(huán)研磨分級設(shè)備
133、CN200620030501.5 半導(dǎo)體材料線切割專用刃料水流預(yù)分級設(shè)備
134、CN200620030502.X 半導(dǎo)體材料線切割專用刃料專用溢流裝置
135、CN200620030503.4 半導(dǎo)體材料線切割專用刃料水循環(huán)利用裝置
136、CN200620030504.9 半導(dǎo)體材料線切割專用刃料溢流自動控制裝置
137、CN200710001132.6 一種氧化鈦摻鈷室溫稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法
138、CN200710001824.0 應(yīng)變絕緣體上半導(dǎo)體材料及制造方法
139、CN200710003498.7 一種氧化鋅摻鈷室溫稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法
140、CN200710007933.3 用于半導(dǎo)體材料處理系統(tǒng)的一體化機架
141、CN200710013325.3 用弧光放電等離子體化學氣相沉淀法在金剛石表面制備半導(dǎo)體材料的方法
142、CN200710013839.9 一種P型磷化鎵半導(dǎo)體材料及其制備方法
143、CN200710041646.4 一種宏觀半導(dǎo)體材料性能的測試裝置
144、CN200710092166.0 有機無機復(fù)合半導(dǎo)體材料、液態(tài)材料、有機發(fā)光元件、有機發(fā)光元件的制造方法、發(fā)光裝置
145、CN200710112047.7 檢測由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的錠件中機械缺陷的方法和設(shè)備 | 
